檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "Shao-Yun Fang".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="良率"
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近年來，超大型積體電路 (VLSI) 技術的快速發展使得電晶體的數量與記憶體細胞密度顯著增加，這個結果已經嚴重威脅到記憶體陣列的良率與可靠度，使得良率明顯下降。因此故障分散 (Fault Scram…
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近年來，錯誤修正碼 (ECC) 技術與內建自我修復 (BISR) 技術皆被廣泛地使用來提升記憶體的良率與可靠度。錯誤修正碼技術以及內建自我修復技術主要分別用來處理軟錯誤與硬錯誤。而在過去有許…
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由於有良好的可擴充性、低功耗及出色的隨機存取表現，快閃記憶體在消費性電子產品中佔主要的地位，像是筆記型電腦和數位音響播放器等產品。快閃記憶體細胞的儲存資訊方法是將電子儲存於浮閘中，隨著製程的…
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近年來由於製程技術的進步，行動裝置與物聯網得以迅速發展，對於非揮發性記憶體的需求也隨之上升，現今電阻式記憶體相較快閃式記憶體，擁有更低的功耗、更快的存取操作與更小的晶片面積，且其特殊的物理結構…
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快閃記憶體具有可擴充、低功耗、高效能等優點，使其廣泛地存在於消費性電子產品中；隨著製程演進，不斷增加的資料密度使儲存資料的雜訊容忍範圍縮小，導致快閃記憶體的良率與可靠度下降。因此，我們需要探討更加高…